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NTTFS5826NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
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D = 0.5
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D = 0.2
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Single Pulse
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0.001
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1000
PULSE TIME (sec)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
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相关代理商/技术参数
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功能描述:IGBT 晶体管 NFETU8FL 30V 57A 10.8M Ohm
RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
NTTFSC4823NTAG
功能描述:IGBT 晶体管 NFETU8FL 30V 50A 17.5MOHM
RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
NTTS2P02R2
功能描述:MOSFET 20V 2.4A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTS2P02R2/D
制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET -2.4 Amps， -20 Volts
NTTS2P02R2_06
制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -2.4 Amps, -20 Volts
NTTS2P02R2G
功能描述:MOSFET 20V 2.4A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTS2P03R2
功能描述:MOSFET -30V -2.48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTS2P03R2/D
制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET -2.48 Amps， -30 Volts